聊城MTDC750晶闸管智能模块

晶闸管模块的应用方法

1、模块的控制功能端口定义

+12V：   外接 +12V直流电源正极。

GND：   直流电源地线。

GND1:    控制信号地线，与GND 相通。

CON10V:  0～10V 控制信号输入。

TESTE： 检测电源,可外接 4.7K～20K电位器，取出0～10V 信号。

CON20mA：4～20mA控制信号输入。

2、模块的控制端口与控制线

模块控制端接口有5脚、9脚和15脚三种形式，分别对应于5芯、9芯、15芯的控制线。采用电压信号的产品只用**脚端口，其余为空脚，采用电流信号的9脚为信号输入，控制线的屏蔽层铜线应焊接到直流电源地线上,连接时注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能烧坏模块。 正高电气技术力量雄厚，工装设备和检测仪器齐备，检验与实验手段完善。聊城MTDC750晶闸管智能模块

满足晶闸管模块工作的必要条件

晶闸管模块使用中一定要具有以下条件：

（1）+12V直流电源：模块内部控制电路的工作电源。

①输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。

②输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。

（2）控制信号： 0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。

（3）供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接模块的输入端子；负载为用电器，接模块的输出端子。 聊城MTDC750晶闸管智能模块正高电气重信誉、守合同，严把产品质量关，热诚欢迎广大用户前来咨询考察，洽谈业务！

晶闸管智能模块的基本组成

晶闸管芯片以不同的形式连接，并与触发控制系统集成。可形成单相和三相交流整流形式。该模块的直流控制电源信号可由手动、仪表或微机控制。

主要结果如下：(1)选用进口(DCB)陶瓷铜层压板、金属Mo片、纯铜导热基板等材料实现无间隙焊接，绝缘性能好，导热系数高，热循环次数比国家标准高10倍。

（2）采用进口方形芯片，电连接部分采用高分子复合材料作为支撑板和连接桥，使模块工作压降低、功耗低、热阻小、工作效率高。

（3）均采用品牌贴片元件，自行设计的10位A/D**数字触发电路，高集成触发控制系统，在电感和电容负载条件下具有一定优势，输出电压对称性好，无相序接入要求。

（4）触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离，绝缘电压大于2500V，可以保证人身和设备使用安全。

（5）该模块以输入直流0-5V、0-10V和4-20mA控制三种不同的控制信号，以满足用户的不同控制模式。

（6）输出电压不对称度小于2%，输出电压不稳定度小于0.5%。

传统的电加热行业使用的功率器件一般采用分离晶闸管+晶闸管触发板的方式来完成对变压器初级或次级的调压；加热行业往往工作环境很恶劣，粉尘飞扬，温度变化较大，湿度较高，长时间工作后会出现触发板工作失常，造成晶闸管击穿，导致设备停产，产品报废等，给生产造成严重损失。并且普通电工无法完成维修工作，必须专业人员进行操作。为了避免出现上述问题，比较好采用密封性好，工作环境适应能力强，安装维修方便的晶闸管智能模块来替代传统的方式。晶闸管智能模块是把晶闸管主电路与移向触发系统（即触发板）集成共同封装在一个塑料外壳内，从而省去了触发板与晶闸管之间的连接线、晶闸管与晶闸管之间的连接线，减小了接线错误的几率，维护方便，普通电工即可完成操作，省去人员成本。把触发板封装到模块内，环境中的粉尘、湿气等都不会对其产生影响，增加了可靠性。 正高电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。

    现在想要设计一个硬件电路，用单片机控制晶闸管来控制白炽灯灯光的亮度（220V的）。想问一下，晶闸管怎么连接在电路中？怎么和零线火线连接？单片机怎么和晶闸管连接？晶闸管上有还有...现在想要设计一个硬件电路，用单片机控制晶闸管来控制白炽灯灯光的亮度（220V的）。晶闸管怎么连接在电路中？怎么和零线火线连接？单片机怎么和晶闸管连接？晶闸管上有还有4个接头，，现代科技理论与生产实践相结合的基础上，依托科研单位的多年技术积累、深厚的技术底蕴，是专业从事智能电网、无功补偿、电能质量产品研发、生产、销售和服务为一体的高科技企业；是智能电网、无功补偿、电能质量整体解决方案前列供应商；目前所提供的产品均取得相C、CQC证书和型式试验报告。公司产品涵盖有：智能抗谐波自动补偿控制器、电力谐波器、滤波串联电抗器、动态调节器、晶闸管可控硅电容投切开关、智能复合开关、动态补偿控制器、配变监测计量终端、电能仪表、智能电容器、滤波电容补偿模组等一系列产品。正高电气拥有业内**人士和高技术人才。聊城MTDC750晶闸管智能模块

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    [1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡。聊城MTDC750晶闸管智能模块

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